Új hozzászólás Aktív témák

• #84566 aujjobba addikt Dr. Szilikát #84564

  Új Válasz 2022-07-26 10:24:54 #84566

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  aujjobba

  addikt

  válasz Dr. Szilikát #84564 üzenetére

  Koszonom, ranezek a MOSFET alapu konverterekre.
  Igazabol a legnagyobb problemam az ujabb eszkozokkel, hogy keves (ha egyaltalan) elerheto DIP csomagban, nekem pedig nincs eszkozom SMD/BGA/stb forrasztashoz.
  Probalok mindent magam osszerakni, minel jobban megertve hogyan mukodik az adott cucc, mire kell figyelni, mik az alapveto modellezo kepletei, emiatt nem nagyon szeretnek keszre szerelt eszkozoket hasznalni.
  A H-hidat azt gondolom mar ertem, a shoot-through problemat, a high-side NMOS alkalmazasanak problemait, stb. Tudom, hogy vannak erre felhid/teljeshid meghajto IC-k, chargepump-pal, amik a kesz megoldasokon latszanak is.

  #84565 tordaitibi
  Ha jol tudom a FET nyitaskor a gate kapacitasra raszabadul az in-rush aram, amit a gate-re kotott MCU-nak le kell tudni adni, amit ha jol sejtem az I = dQ / dt keplet ad ki hozzavetoleg, ahol dQ a gate toltes, a (t) az eltelt ido (1 / 4500 Hz esetemben).
  Jol gondolkodok itt?
  Van egy kis zavar ekorul a fejemben, mert ugye azt mondjuk a FET-nek nem kell aram, csak feszultseg, de amikor elojon a kapcsolouzem megicsak szamolunk arammal.
  Ilyet hasznalok most gate-meghajtasra: UCC37322P
  Ez azt mondja 'output stage is capable of providing 9A peak drive current to the gate of a power MOSFET'.

Új hozzászólás Aktív témák