Új hozzászólás Aktív témák

• #33 #16939776 törölt tag Tetsuo #31

  Új Válasz 2020-07-19 13:13:26 #33

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  

  #16939776

  törölt tag

  válasz Tetsuo #31 üzenetére

  Van ennek hátránya is, mert a tápfeszültséggel együtt a "0/1"-hez tartozó feszültség szintek is közelebb kerülnek egymáshoz, így nehezebbé válik miatta detektálni az információt, az állapotváltozást.
  Szerintem itt nem is igazán a tápfeszültség 100mV-os csökkenése a probléma, hanem az, hogy a szokásosnál nagyobb terhelést (2x nagyobb I/O)-t adnak majd a 1db modulnak, ami ~2x akkora felvett áramot, áramingadozást és zajt kelt majd a tápfeszültségen.
  A memória IC-t nagy távolságra (foglalaton, vezetékeken keresztül átvezetve) téve a DC-DC-től, egyrészt a modulon keletkező zaj kevésbé lenne csillapítható, másrészt mivel szerverbe szánják, az sem mindegy, hogy mennyi ilyen nagy teljesítményű modul rakható egymás mellé, mert a közös a tápfeszültség sínen a zaj még terjedni is tud modul-modul között.
  Ha zajosabbá válik a tápfeszültség és csökken az I/O feszültség, az együtt jelenthet olyan problémát amire reagálni kellett.
  Harmadrészt, jön majd a kizárólag +12V-ról működő gép igénye, arra az igényre is választ ad. Eddig a tápegység nagy áramú 3,3V-ból vagy volt előállítva a memória feszültsége, ha ez "megszűnik", lépni kell tovább.

• #32 apatyas Korrektor Tetsuo #31

  Új Válasz 2020-07-19 11:51:09 #32

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  apatyas

  Korrektor

  válasz Tetsuo #31 üzenetére

  De, pont azt csinálják. 12V-ot vezetnek a modulra, kisebb az áram, kevesebb fesz esik a csatlakozáson.

Új hozzászólás Aktív témák