Nah, azért nyitom, hogy a memóriákkal kapcsolatos izgalmasabb kérdéseket megvitassuk, engem legalábbis érdekel a téma.

Első kérdésem:

Mire való a PRECHARGE ALL BANKS funkció a bekapcsolás után és a többi funkció után?

http://download.micron.com/pdf/misc/JEDEC79R2.pdf

Ezt meg nézegessétek.

while (!sleep) sheep++;

Nah, nekem megvan . Ha valakinek más kérdése van, ide vele.

while (!sleep) sheep++;

nem teljesen tiszta mire gondolsz de úgy tűnik hogy ez a precharge az adatvezeték alapfeszre töltését jelenti.

www.simson4t.hu

Szabad hozzászólni?
Nem tom mennyire vagy tisztában a belső felépitéssel (szerintem eléggé, ha ilyen komoly doksikat nézegetsz). Mindesetre a RAM bankokra van osztva a gyorsabb sebesség érdekében, jellemzően 4 bankra. Egy bankon belül 4096-8092 sor van, illetve konfigurációtól függően (4,8,16 bites modul) 512-2048 oszlopra. Miközben az egyik bankot olvasod, addig a másik bankban kinyithatsz egy ujabb sort, és előkészülhetsz az adat feldolgozásásra. Ha azzal készen vagy akkor le kell zárnod a sort. Ez a precharge. A precharge all banks utasitás hatására bármely bankban lévő kinyitott sort lezárod. A bekapcsolás után azért van rá szükség, mert a sorokat flipflopok tartják nyitva, és nem tudhatod hogy bekapcsolásnál melyik billent be. Ha pedig ezt elmulasztod, és több sor van nyitva, akkor az egyik adata felülirhatja a másikat. Szóval erre jó a precharge all.
Olavsás és irás utasitások után vagy szimpla precharge (az adott bankra) vagy precharge all utasitás is lehet, de ez el is maradhat, ha autoprecharge módot válsztottál ki.

Bocs ha túl aprólékos lettem volna, lehet nem csak szakértők kukkantanak ide...

Örülök hogy a Micron ennyire felkeltette az érdeklődésed. Igaz szerintem is nekik van az egyik legjobb dokumentációjuk.

Na, erre gondoltam.

while (!sleep) sheep++;

''A sorokat flipflopok tartják nyitva'' : ez azt jelenti, hogy a hozzáférés maszkolva van a flipflop állapotával?

while (!sleep) sheep++;

Szerinted egyről beszélük, vagy az más amit én mondok? a sor kinyitás az az amit írtam?

www.simson4t.hu

Ugy értem, hogy mivel a kapacitáshoz vezető utat egy NMOS tranzisztor zárja el (miért nem PMOS?) ezért annak gatejére pozitiv Vcc-t kell kötnöd mindaddig amig az érzékelőerősitők el nem végzik a munkájukat. Ezt ugy oldod meg, hogy egy flipflopot (mondjuk D ff) billentesz be addig. Majd a precharge esetén átbillented, igy a szóvezetéken földpotenciál lesz. Ez a következő aktiválásig lesz ebben az állapotában.
Egy elég jó könyv erről
DRAM Circuit Design: A Tutorial
by Brent Keeth, Micron Technology, Inc., and R. Jacob Baker, The Boise State University
Gondolom tudod honnan lehet megszerezni.

szerintem egyről.

illetve pontosan nem az adatvezetéket, hanem a szóvezetéket ''töltöd'' fel. Illetve le,mivel az NMOSt földpotenciálra kell kötni hogy lezárjon.

Tranyókban még nem vagyok túl jó..az NMOS gatejére pozitívat kötve kinyit?

while (!sleep) sheep++;

NMOS gate fesz magas=nyitott
PMOS gate fesz magas=zárt

Ok: NMOSban elektronokat próbálsz a gate alá gyüjteni, ehhez pedig pozitiv feszültség kell.

Elárulom a megfejtést is, miért NMOS van a memóriacelláknál: azonos áramú, sebességü PMOS 3x akkora lenne, ez pedig azt jelentené hogy ma is csak 3ad akkora memóriák lennének...

OKs, megvan.

while (!sleep) sheep++;

Na engem az érdekelne, hogy milyen gyakorisággal kényszerül ecc-t használni egy modul(?)

''This is horseshit. Horseshit, horseshit, horseshit. And for those of you who don't know what that means, it's the shit that comes from a horse!'' -- Greg, Columbia Internet

http://cr.yp.to/hardware/ecc.html

A kozmikus sugárzást figyelembe véve akár naponta többször is Na jó, a Corsair szerint évente többször. Kivéve az ATOMKIt meg a KFKIt, sőt lehet a kutatórektort is...

OFF
Huhh, miről beszéltek ember???
Azt hittem ilyen késleltetés vs buszfreki, vagy egy-kétoldalas modulokról lesz szó

Ti aztán kenitek a témát, nem is hittem, hogy vannak idehaza olyanok akik ennyire értenek atémához, elvégre itthon nincs semmi komoly hardvergyártás aki programoz az is magas szintő nyelvekben keni. Vagy ebben sincs igazam?

Na mindegy nem offolom szét a topicot elhúztam
csá
ON

"... Feltalálom a hidegfúziót oszt reszeltek az amcsiknak...":)))

Bár én csíra vagyok, hadd kérdezzek, mert szakértő válaszol.

Szóval a ''bank'' alatt itt most nem a memória fogalalatot, hanem a memória lapkán (PCB-n, nyák-on) található memória chipeket érted gondolom. Tehát nem dual bankinkról van szó.

De mint írod is, ez a sebesség növelése érdekében van úgy, hogy több memória chip van rajta. És gondolom azért növekszik a sebesség, mert egyszerre olvas a modulokból, vagy nem?

Más:
Meg tudod fogalmazni közérthetően, hogy mi a különbség az FPS DRAM, EDO DRAM, SDR és DDR SDRAM és RDRAM között? Az is érdekelne, hogy ezeknek az effektív sávszélessége miért elméleti csak?

Acer Predator Helios 500 Ryzen, Samsung 960 Pro NVMe + GeChic 15.6" kulso monitor a mobil irodahoz

Bár látom hogy ebben a topicban én kispályás vagyok azért asszem az elméleti és a valós órajel közti különbségre tudom a választ

A felsorolt memóriák közös tulajdonsága hogy dinamikus ramok, ami azt jelenti hogy egy bit egy kapacitással van megvalósítva. Attól függően hogy fel van-e töltve vagy sem 1 vagy nulla az értéke. Mivel ezek nagyon kicsi és egyszerű kondenzátorok, a töltés nagyon gyorsan elszivárog belőlük. így viszont elveszne a bennük tárolt információ, ezért rendszeresen frissíteni kell őket (nem tudom pontosan hány miliszekundumonként de elég gyakran), ezalatt az idő alatt nem lehet írni vagy olvasni.

Az olvasásnál, nem lehet simán rákapcsolni a bitet a szóvezetékre, mert ugyan megtudnánk hogy mennyi az értéke, de ki is sütnénk ezzel. Azért hogy ez ne következzen be az szóvezetéket egy bizonyos feszültségre kell állatani. Ha a bit 0 azaz nincs töltött állapotban, a vezetéken csökkenni fog a feszültség, ha az értéke 1 azaz töltve van, akkor a feszültség emelkedik. viszont olvasás után vissza kell állítani a bit eredeti értékét. Ez mind időbe tellik, és ez üres órajelciklusokat eredményez amikor nem lehet a memóriát írni vagy olvasni. Ezen segít a bankokba rendezés, mert megfelelő kialakítással mindig van a memóriának írható/olvasható része.

www.simson4t.hu

Az SDRAM és a DDR RAM közötti különbség annyi, hogy a tCAS idő után az SDRAMnál órajelenként érkezik egy adatszó, a DDRnél meg minden órajelszintváltásnál. Ezért lehet DDR-nél pl. 2.5-ös CAS latency, SDRnél meg csak egész szám.

while (!sleep) sheep++;

Én is viszonylag gyík vagyok a témához, ezért kérdezek egyet.
Szal, ha az órajelciklus fel és lefutóágán is lehetne adatot továbbítani, akkor ez miért nem eredményez effektívebb teljesítménynövekedést? Én arra tudok gondolni - de nem értek hozzá - hogy nem az adatmozgatás a sok idő, hanem ez a CASos dolog, vagyis amíg helyileg meghatározza, hogy honnan mit hová..
nagyon hülyeséget mondtam?
Emvy amit belinkeltél doksit megpróbáltam interpretálni, de nekem ez előismeretek nélkül nagyon kínai.

Miért ne eredményezne effektív teljesítménynövekedést??? Dupla átvitel az nem elég effektív?

while (!sleep) sheep++;

A bankszervezésről lehet itt látni ábrát:
http://www.lostcircuits.com/memory/eddr/2.shtml
Kezdjük azzal, hogy egy modulon 8 vagy 9 chip van, szervezéstől függően. Vegyük azt az alapesetet, hogy egyetlen adatvonal van a chipen , azaz 256Mbites chipből van 8 egy modulon. Minden 256Mbites chip belül 4 darab 64Mbites bankból áll. Ezt értettem bank alatt, amiből 4 van egy chipen belül. A sebesség növelése érdekében van 4 bank egy chipen belül, mert amig az egyik bankban előkészited az 1 bit olvasását (Mbites modult feltételezve) addig a másikban elvégezheted az olvasást, és kiadhatod a precharge utasitást. Itt félreértetted a bankszervezést, az egy chipen belül van. Elnézést ha nem voltam teljesen világos.
A teljes felépités amugy több helyen is megtalálható, de én hagy ajánljam a
http://download.micron.com/pdf/datasheets/dram/256msdram_f.pdf
linket, ahol a 4dik oldalon a következő áll :
...dynamic random-access memory containing 268,435,456 bits. It is internally configured as a quad-bank DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK). Each of the x4’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 2,048 columns by 4 bits. Each of the x8’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 1,024 columns by 8 bits. Each of the x16’s 67,108,864-bit banks is organized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits.
Magyarra forditva:
...DRAM memória, amely 268,435,456 bitet tartalmaz. Ez belsőleg 4 bankba szervezett DRAM, szinkron interfésszel, ahol minden jel az órajel,CLK felfutó élénél van mintavételezve. Minden 64Mbites bank 8092 sorból és 512, 1024,2048 oszlopból áll, x4, x8, x16 szervezés esetén.
Kifelé a bank szervezés nem látszik természetesen. Továbbá minden chip a modulon 4,8,16 bit szószélességű lehet a valóságban, nem pedig 1 bites. De remélem érted a lényeget, ha valami nem világos, akkor csak kérdezz nyugodtan.
A teljes felépitési vázlat is látható ugyanezen doksi 6,7,8 oldalán. Ha az ábrát idetudtam volna tenni, akkor biztos jobban el tudtam volna mutogatni....

A különbségekről röviden:
EDO RAM nem szinkron müködésű. FPM EDO pedig tud fast page olvasási módot, ami azt jelenti hogy több bitet tudsz kiolvasni új sorcim megadása nélkül, hanem csak az oszlopcimeket kell biztositanod, és a kimeneteid két adat közt high-Z állapotban vannak (sima EDOnál az adat továbbra is érvényes a kimeneteken)
SDRAM szinkron müködésű, minden parancs és adat az órajel felfutó élénél áll rendelkezésre.
DDR SDRAM esetén az adat az órajel felfutó és lefutó élénél áll rendelkezésre. Itt ugyanis 2bites prefetch van (azaz egy sor, de két oszlop van nyitva)
Az RDRAM 32bites prefetchet használ ha jól emlékszem, de mivel a Micron nem gyárt ilyet, ennek nekem is utána kellene néznem.
Itt van egy kis anyag:
http://www.rambus.com/downloads/rdram.128s.0059-1.11.book.pdf

Ebből egy kis kivonat:
- Separate control and data buses (külön adat és vezérlőbusz)
- Separate row and column control buses (külön sor és oszlopcimbusz)
- 32 banks: four transactions can take place simultaneously
at full bandwidth data rates (32 bank, 4 szintü utasitás pipeline)
Low latency features
- Write buffer to reduce read latency (irásbuffer a read latency csökkentésére)
- 3 precharge mechanisms for controller flexibility (3 fajta precharge)
- Interleaved transactions
Organization: 1Kbyte pages and 32 banks, x 16/18 (32 bank, 1kbytos lapméret, 16 vagy 18 adatkimenet)
Azaz sokkal több bank van benne igy 32 bites prefetch van, továbbá szélesebb adatbusz, nagyobb lapméret.
Sajnos FPS DRAMról nem tudok. De utánanézek.

Az effektiv sávszélességet ideális időzitések mellett rögzitik, ami kb azt jelenti hogy mondjuk egy sorról olvassák ki az összes bitet (egy lapot, ún. burst page módban olvasnak), nem szakitják meg az adott müveletet stb. Ilyen a valóságban nincs...

Mára talán ennyi.

Den, olvasásnál helyreállitod az adatot, mivel az érzékelőerősitők azt elvégzik. Igy az olvasás maga nem destruktiv, de gondoskodnod kell arról hogy minden 64ms esetém minden sort kiolvass, ezt nevezik frissitésnek.

mér lennél kispályás

Igaza van emvynek, a dupla sebesség elég jó...a kettő és fél órajelciklus pedig csak annyit jelent hogy 2 teljes órajelciklus, meg a következő lefutó él:
__ __ __
| |__| |__| |

| 1 | 2 | 2.5

Grafika, jaj...

Ja értem, tehát az olvasás és a frissítés ugyanaz?

www.simson4t.hu

Ugy értve, hogy az érzékelőerősitő olvasásnál frissiti az adatot, ugy igen. Mint müveletek, teljesen különböznek, mert frissitésnél minden sort ki kell olvasnod! Olvasás pediglen nem rendben történik, azaz nem feltétlenül olvasol minden sorból.

Idemásolom a tocsának irt választ arról, mi köze van a BIOS beállitásoknak a latencyhez.
A 2-2-5-2 és társai BIOS beállitások, de én régóta nem nyultam a BIOSba, mivel nekem csak PC100 SDRAM van, igy a tulhajtás csak álom
Szóval itt az egyes parancskiadási időzitéseket próbálod meg egyenként változtatni, de ezeknek semmi jelentősége a CAS latency szempontjából, mivel az definició szerint azt jelenti melyik élnél kapod az érvényes adatot.
Nagyhirtelen csak ennyit találtam:
http://www.lostcircuits.com/memory/esdram/2.shtml
http://www.radiativenz.com/guides/memoryguide/index.shtml
Mivel itt az egyes parancsok kiadási idejét variálod, ennek lehet valamekkora sebességnövekedési hatása, de szerintem sokkal fontosabb hogy ha jól választod meg őket, akkor nagyobb frekire lehet huzni a cuccost.
Pliz javitsatok ki ha tévednék, mert memóriát még nem tuningoltam. A Fórumban sok jó tuningos van...

oké, értem már

www.simson4t.hu

napocskának is:
most nemazért, de gyakorlatban nem csak 30-50% az eltérés a sdr sdram, és a ddr sdram között? (ha nem, akkor az a mondatom törlendő. )

Jó. Annyi sincs.
Max 25%.


És ha veszel egy olyan videokártyát, amelyik 2*annyit tud, mint az előző, akkor miért nem lesz kétszer olyan gyors a rendszered??

Azért, mert nem csak RAMból áll. Valószínűleg memóriaműveleteknél majd' 2x olyan gyors, de egyrészt a CAS kb. ugyanannyi, tehát sok apró memműveletnél már alig gyorsabb, másrészt meg játékoknál nincs annyira sok memművelet.

while (!sleep) sheep++;

ha veszek egy 2x gyorsabb vga kártyát, annak a lehet kétszer akkora teljesítménye, mint a réginek, csak ebből kevesebbet fogok realizálni.
/az effektív nálam a gyakorlati szinonímája; előbb valószínű, hogy ezért nem értettetek meg./
ok, megértettem, thx.

Ugyanígy van a RAMmal is.

while (!sleep) sheep++;

266-os fsb teljesen ki tudja használni egy 133-as sd ram sávszélességét, de egy 266-os fsb már nem tudja kihasználni a 266-os ddr sávszélességét, mert az fsb-n a memória más eszközökkel is osztozik.

www.simson4t.hu

kérdezek megint valamit, mert elég érdekes volt a hvgm.
szóval a ram cast átállítottam 2-re 2.5-ről. (ddr266) nem volt vele semmi gond, otthagytam a quake3at egy botmatch-re két óráig, mikor visszamentem, akkor sem fagyott le, gondoltam jó lesz így.
azonban jelentkezett néhány probléma, amit eddig sohasem tapasztaltam. pl. office telepítő kijelenti, hogy az office cd korrupt, mert a .cab belső filemérete nem egyezik meg azzal, amit ő szeretne. no gondoltam te is jó hülye vagy, már 10x+ alkalommal telepítettem róla.
.cab alapú telepítők 50%-nál ilyen hiba. ma reggel próbáltam meg, hogy a cast vissza a régi helyzetbe (nem tapasztaltam olyan rettenetes növekedést, lehet hogy volt, csak vak vagyok ) és láss csodát az office fölmászik gond nélkül.
hát nemmondom.. eddig én voltam lemaradva valamiről, és ez velejárója a memória állítgatásának, vagy egyedi jelenség.

Először is: Emvy dícséret a topikért.
Kérés: nem lehetne a memóriát teljesen az alapoktól áttárgyalni? Mert akkor tök jó lenne.

off

Napocska emil ment
bocs az offért

on

Kérek mindenkit, olyan e-mail címet írjon az adati közé, amit valóban használ

Kérdezz

while (!sleep) sheep++;

Naaa!
Kérdeznék én, de olyan buta vagyok, hogy még kérdezni sem tudok.
Kezdjük az alapoktól, és akkor utána kérdezek lehet így?

off

Emvy szeretsz Te előadásokat tartani? Ilyen fullextrásat powerpoint-os, meg mindenféle szép és okos dolgokat mondani?
Ha nem szeretsz mivel lehet rávenni?

on

Kérek mindenkit, olyan e-mail címet írjon az adati közé, amit valóban használ

http://prohardver.hu/rios2_cikk.php?id=153&p=2

Nah.

2 fajta ram van alapvetően:
SRAM és DRAM.
Az SRAMban flip-flopok tárolják az adatokat, 1 bithez több tranzisztor kell, gyors, nem kell frissíteni, kiolvasás után megtartja az értékét. Ilyen sokszor a cache.

DRAMban egy bit 1 db kondenzátor, emiatt sokkal kisebb méretű, ergo nagyobb kapacitású modulokat lehet gyártani belőle, ilyenek az SDRAM, EDO RAM, satöbbi.
Ezeket folyamatosan frissíteni kell, mert a kondenzátorokból elszivárog az áram, és kiolvasott bitet vissza kell írni, mert elveszik az adat

(kajálok picit )

while (!sleep) sheep++;

Azt honnan lehet tudni, hogy egy ram modul eredeti samsung, vagy esetleg csak a chipek samsung gyártmányúak.
Emvy! Várom a folytatást

Kérek mindenkit, olyan e-mail címet írjon az adati közé, amit valóban használ

ismer valaki TQI nevű DDR ramot ?

Az élet sírással kezdődik és azzal is ér véget, de közte kötelező mosolyogni !!!

Emvy: kijavítanálak egy kicsit. ''a kondenzátorokból elszivárog az áram'' Nem áram, hanem töltés.

Szerintem hibázott a ramod cas2-n (kitömörítéskor), talán hamarabb próbált kiolvasni egy adatot egy címről, mint hogy az ténylegesen megjelent volna (ez volna a cas lényege, nemde?). Quake nem éppen a megfelelő teszt, mert ott esetleg egy-egy kisebb hibát nem veszel észre. Ajánlom inkább a memtest86 programot, azt hagyd párszor végigfutni, és akkor elmondhatod, hogy stabil a memóriád .

Samsung honlapja? Egyébként szerintem a Samsung nem gyárt modulokat, csak chipeket, vagyis amit a tolvajnyelv (legalábbis itthon) Samsung ramnak hív, az csak Samsung chipes noname . De lehet az is, hogy tévedek. De ha utánanézel, és kiderül, hogy nem is gyárt modulokat, az válasz a kérdésedre .

Vagyis nem velejárója a memória állítgatásnak, csak akkor, ha az nem bírja a cas2-t vagy egyéb körülményeket, amik között nyúzod .

Azthiszem gyárt:

http://www.samsungelectronics.com/semiconductors/DRAM/DRAM.htm

Tibi

Igaz! Akkor tévedtem. Hátha van valami ''gyártási-szám-alapján-beazonosítom'' típusú dolog a honlapjukon.

talán ez segíthet:
http://www.samsungelectronics.com/semiconductors/DRAM/New_DDR333_product_guide_June12.pdf