Én úgy fogalmaznám meg, hogy az XYnm jelző leginkább a tranzisztorsűrűségre vonatkozó meghatározó jellemző, kisebb mértékben a fogyasztásra is valami egység-frekvencián. Ami logikus is, hiszen a tranzisztorsűrűség növekedésével értelemszerűen csökken a tranzisztorok mérete és távolsága, tehát a elektronok útja is.

A sűrűség nyilván hatással van a hő elvezethetőségére és ezáltal a fogyasztásra is. Tehát a magas sűrűség alacsony hőmérséklet mellett jótékony hatással van a fogyasztásra, de rossz hatással van a termelődő hő elvezethetőségére, a forró tranzisztor viszont többet fogyaszt.

Amire az XYnm ma már nincs igazán egyértelmű hatással az az elérhető frekvencia.

Tehát amikor "az intel leragadt 14nm-en", akkor ott történt érdemi változás abból az aspektusból, hogy milyen magas frekvenciát lehet elérni vele. Viszont a fogyasztás és tranzisztorsűrűség vonatkozásában nem történt érezhető pozitív változás. Gyanítható, hogy valóban romlott a tranzisztorsűrűség, mivel az intel már nem kommunikálja ezeket az adatokat.

A tranzisztorsűrűség végfelhasználót nem kéne, hogy különösebben érdekelje, viszont értelemszerűen hatással van arra, hogy adott wafermennyiségből mennyit lehet gyártani belőle és hogy ennélfogva mennyiért adják.

A gyártók akkor szokták csökkenteni a nm előtti számot, ha tranzisztorsűrűség növekedés érhető el általa.

A TSMC esetében ezt írják a 16/12nm-ről:
"In late 2016 TSMC announced a "12nm" process (e.g. 12FFC) which uses the similar design rules as the 16nm node but a tighter metal pitch, providing a slight density improvement."

GF 14/12nm:
12LP technology can provide up to 10% logic area shrink and >6% performance boost compared to the base 14LPP technology.

Samsung 14/11, 10=8:
"Samsung's initial process was 10LPE (10 Low-Power Early) which was replaced by second generation evolved process 10LPP (10 Low-Power Plus). Samsung intends to introduce a third generational enhanced 10nm process called 8LPP (8 Low Power Plus) which will further improve performance and introduce a small density increase through cell enhancements and a narrower metal pitch. 8LPP improvements over 10LPP is similar to their 11LPP improvements over their 14LPP. It's worth noting that Samsung intends 8LPP to be their last non-EUV node. All subsequent nodes will use EUV. "

Mivel az intel nem növelt tranzisztorsűrűséget, ezért tulajdonképpen logikusan nem illet(het)te alacsonyabb nm számmal.

[ Szerkesztve ]

Találgatunk, aztán majd úgyis kiderül..