Új hozzászólás Aktív témák

• #57616 And veterán McSzaby #57615

  Új Válasz 2017-03-28 14:41:49 #57616

  Új hozzászólás

  Összes hozzászólása itt Válaszok az összes hozzászólására itt Válaszok erre a hozzászólásra

  Privát üzenet küldése

  

  And

  veterán

  válasz McSzaby #57615 üzenetére

  Gate-ellenállás (mármint azzal sorosan): nem kell. A drain-re kötött kapacitás sem túl jó ötlet, ha PWM-vezérlés a célod, mivel egy n-csatornás mosfet esetén - amelynél a nyitófeszültség a source.hoz képest pozitív - ha a source a közös (GND vagy 0V) elektróda, a terhelést a drain körébe kell kötnöd. Amúgy az IRF740 típussal az lehet a legfőbb baj a te esetedben, hogy nem igazán 'logic level' kompatibilis, a nyitókarakterisztika szerint az eszköz 5V-os Ugs- (nyitó-) feszültségnél éppen csak minimális draináram vezetésére képes, ezért például TTL-szintű (0V / 5V) vezérlésnél sem nagyon tudod kinyitni a mosfetet. Amúgy ez egy nagyobb feszültségű típus, ami azt jelenti, hogy a nyitott csatornájának az ellenállása (Rds_on, vezérléskor) nem annyira alacsony értékű, vagyis nagyobb draináram esetén jóval többet disszipálhat, mint egy alacsony Rds_on értékű típus.

Új hozzászólás Aktív témák