Szuper cikk lett, köszi!

//developer

Érettségi előtt kellett volna, mint egy falat kenyér

I did nothing, the pavement was his enemy!

SRAM PC-s felhasználásánál megemlíthető a BIOS beállítások tárolása. Itt egy kisméretű SRAM memória van összecsomagolva egy "kvarcórával", amit régen egy akkumulátorról, később elemről táplálnak a gép kikapcsolt állapota alatt. Egyes alaplapokon volt ilyen akkumulátorral egybeépített IC használva, mint amilyenről fotót is raktál be.

[ Szerkesztve ]

Egyelőre csak átszaladtam, meg itt-ott beleolvastam de idáig nagyon tetszik.
Ahogy a többi írásodat ezt is jó olvasni.

Üdv,
J

[ Szerkesztve ]

Meg ugye volt a PROM az EPROM mellett, ami kizárólag egyszer volt írható
Manapság OTP-nek hívják, sok esetben pl. telefon flashekben akadnak ilyen területek (IMEI szám backup tárolása, stb. feladatokra).
A cikk amúgy jó lett, lényegretörő, és érthető. 1000 éve nem foglalkozok ilyesmivel , és simán értettem.

[ Szerkesztve ]

Mutogatni való hater díszpinty

Nagyon szemléletes, átlátható, és érthető. Jó cikk lett, gratulálok!

no brain, no problem

Igen: a PROM-oknál kis ellenállásokat - vagy inkább biztosítékokat - kellett íráskor kiégetni. Valószínűleg innen is ered az "égetés" fogalma.

Ügyes, köszönjük!

Jó cikk lett! Még én is szereztem be most új ismereteket a cikk átolvasásával.

Tomcat

Olyan iskola feelingem lett Elák,vagy digitális technika... ott is mindig ezek mentek..

Kösz mindenkinek.
Ismeretterjesztőnek szántam.
Mint ahogy a következőt is...

[ Szerkesztve ]

Nagyon jó írás lett, olvasmányos!
Gratula!

"Semmi ok nincs rá,hogy a jó miért ne diadalmaskodhatna éppolyan gyakran,mint a rossz. A győzelem mindig szervezés kérdése. Ha vannak angyalok,remélem,úgy szervezkednek,mint a maffia." K. Vonnegut

tetszett
sok ember nagyon jól jöhet az ilyen írás

Isten jól sikerült alkotása vagyok, elvégre rögtön bőrkötésben adott ki...

Nekem is tetszett a cikked. Egyszerűen megfogalmazott, olvasmányos.

"A türelem hatalom: idővel és türelemmel selyem lesz az eperfa leveléből."

"egy komolyabb processzor 50-100A áramot vesz fel"

ez gondolom nagyon labori korulmenyek kozott lehet max..

[ Szerkesztve ]

miért? ha 1,2V feszültség mellett kibocsát 120W hőt, akkor az bizony 100A áramerősséget jelent.

Azért a P és N Mos-okat lehetett volna rendesen jelölni, (ha már van külön rajzjelük,) és nem ugyan úgy

--- Üdv: huncut123 ---

Nem okításként, hanem csak itt-ott pontosítási szándékkal kommentálok, de csak azután, hogy dícsérettel illetem a cikket/szerzőt, mert biztosan sokak számára hiánypótló az írás.

A (lila) szilíciumban kialakítanak két vezető csatornát (kék), a felületén egy szigetelő réteget(sárga) és fémezéssel egy vezérlőelektródát (piros).

Nem a legpontosabb a leírás.Tulajdonképpen mindkét zóna (lila és kék) félvezető csak egyik p a másik pedig n típusú a szennyezéstől függően.
A szennyezés azt jelenti, hogy:
- a 4 vegyértékű félvezető atomok közé a kristályrácsba 3 vegyértékű (például indium), ezzel egy elektronhiányt (lyukat) képezve p típusú félvezetőt,
- a 4 vegyértékű félvezető atomok közé a kristályrácsba 5 vegyértékű (például foszfor, arzén, stibium), ezzel egy elektronfölösleget képezve n típusú félvezetőt kapunk.

Fémezés szükséges mindhárom elektród esetében, mert másképp a struktúra elektromosan nem "hozzáférhető".

A szigetelő réteget a szilícium oxidálásával állíthatják elő, ami SiO2, vagyis üveg.

Erre inkább azt mondanám, hogy felejtsük el az üveget. Igaz, hogy az üveg az SiO2, de nem minden SiO2 üveg.

...mikor a "Gate" vezérlőelektródára feszültséget kapcsolunk, a térerősség hatására a két vezetőcsatorna között áram indul meg a szigetelő és a szilícium határfelületén. (sárga-lila határ).

A térerősség hatására a két zóna (kék) között csatorna születik (indukálódik) a félvezetőben (szilícium szubsztrátban), ami vezet (ez lesz a bekapcsolt "on" állapot).

Szemléletesebb az alábbi 2 ábra egy ki (off) illetve bekapcsolt (on) nMOSFET ábrázolására. A pMOS esetén a rajzokon egyszerűen fel kell cserélnünk a p és n jeleket.

Innen ered a Complementer MOS, CMOS elnevezés.

A CMOS elnevezés akkor született, amikor egyetlen struktúrába integrálták a pMOS és nMOS tranzisztorokat, mint annak idején az erősítővégfokokba a pnp és npn tranzisztorokat. A CMOS logikai áramkörökkkel sikerült leváltani a most már "borzalmasan" energofágnak tűnő logikai IC-ket (volt olyan számláló, ami képes volt 50mA fölött enni).

...előbb-utóbb (néhány voltnál) a MOSFET Gate-jén lévő feszültség átüti a (sárga) szigetelő réteget, és a tranzisztor tönkre megy. Nagyon pontosan beállított feszültségnél, és megfelelően kialakított tranzisztornál az átütés létrejön, de a tranzisztor még épp nem megy tönkre.

Ezt nem szabad olyannak képzelni, mintha miniatűr átütések (lásd szikra, szigetelő nagyfeszültségű átütése stb) keletkeznének. A p-n átmeneteknél fordított polarizáció esetén létezik egy letörési feszültség (breakdown voltage), ami egy ellenőrizhető folyamat. Például ezen alapul a Zener dióda működése, de jelen van/lehet bipoláris tranzisztorok esetén is. Destruktív hatása csak akkor van, ha a letörési áramot nem kontrollálja/limitálja semmi. Ugyanakkor természetesen valamennyire stresszt jelent a p-n átmenet számára

A feszültséget lekapcsolva, a térerősség megszűnésével az éppen a szigetelő-rétegben lévő elektronok csapdába esnek. Megszűnt a térerősség, ami kicibálná őket onnan.

Itt megint van egy kis gond. A szigetelőben (SiO2) nem marad(hat)nak elektronok, mert nincs hol. Ellenben feltalálták a lebegőkapus struktúrát, mint a mellékelt ábra is mutatja.

A szigetelőben "elszigetelten" lebegő poliszilikon zóna ellenben már tényleg csapdába ejti a letörési áramból származó elektronokat és pontosan azért, mert szigetelő veszi körül azok ott is maradnak (EPROM esetén akár 20 évig is).

Nagyon jó cikk. Tök jó volt feleleveníteni az áramkörökből tanult dolgokat.

• XBL: Uborka Rick • PSN: Uborka_Rick • Steam: Pickle Rick • Battle.net: UborkaRick

Köszi az írást, hasznos

Dave666

Mégegyszer

sorry reggel volt

--- Üdv: huncut123 ---

Miért csak 300MHz -es memóriacellákat építenek? Már ami a rendszermemóriát illeti.(ddr600, ddr2 1200, ddr3...nál még nincs 2400 ) A gddr memóriáknál már van jócskán magasabb, ha jól tudom.

Csak sejtem, hogy azzal van összefüggésben (javítsatok ki, ha tévedek), hogy az egész ram kulcseleme az a pici kondenzátor. Ez pedig pont a sebességre van negatív hatással. Az inteltől kezdve mindenki azért jön elő a highK és egyéb gate-ekkel, hogy minimalizálják annak a kondinak hatását a prociban, növelhessék a sebességet. Itt meg pont az a kondi kell a működéshez.
A 41256-tól alig-alig gyorsult a ram...jó, kb az 50-szeresére, míg a proci több mint az 5000-szeresére gyorsult az I8080 óta.
De ezt csak erősen gondolom. Egy alkatrészes ember biztosan jobban tudja.

Az inteltől kezdve mindenki azért jön elő a highK és egyéb gate-ekkel, hogy minimalizálják annak a kondinak hatását a prociban, növelhessék a sebességet.

Azt hiszem kicsit mélyre megyünk, de valószínű lesznek érdeklődők is.

Annak a kapacitásnak tényleg fontos a szerepe. Szerintem kissé másképp. Nem az tartalmazza az információt. Az információt a MOSFET nyitott/zárt állapota jelenti. A csatorna nyitási/zárási sebessége annál jobb, minél nagyobb a kapu (gate) kapacitás és függvénye a töltéshordozók mobilitásának. Ugyanakkor a kapacitást a 3 dologgal befolyásolhatjuk:

az A felület növelésével (ellentmond az állandó miniaturizálási trendnek, a cél épp a felület/lépték csökkentése), a 2 fegyverzet távolságának (t) csökkentésével (fizikai határokba ütközik, mert alagúteffektus hatására nőnek a reziduális áramok és csökken a biztonságos működés/élettartam) és végül a dialektrikus állandó (K) növelésével (anyagváltoztatást jelent, ami komoly technológiai problémát okoz az egyéb anyag szilíciumra vitelével, a határrétegekben keletkező hibák kontroll alatt tartásával stb és ez a HighK). Érdekességként: a klasszikus SiO2 réteg nem csökkenthető 2nm alá (fizikai okokból). A HighK réteg vastagsága ellenben 10-15 Angström vastagságú (nagyon rossz kifejezés ), ami már nem jelent csak néhány atomnyi réteget. Elképzelhető mivel járhat a két anyag közötti határréteg hibája ilyen méreteknél, amikor lényegében 2 különböző kristályrácsot kell illeszteni egymáshoz.

[ Szerkesztve ]

High k pont hogy növeli a kondi kapacitását.

'Az információt a MOSFET nyitott/zárt állapota jelenti.' Ami viszont a kapacitás töltöttségétől függ. A MOSFET itt inkább csak szenzor, aminek az állapota követi a kapacitás állapotát.

"The value in a DRAM memory element is stored in a capacitor."
([link])

@JColee
Tudtam én, hogy pont nem a highK-t kellene példának említenem a sebesség hajszolásánál, mert az pont növeli a kapacitást.
Tehát inkább úgy mondanám: a teljesen más kapcsolástechnika (és talán az, hogy a félvezetőkkel szemben támasztott követelmények is mások) nem teszi azt lehetővé, hogy a DRAM-ok is egy proci sebességével pörögjenek.

Azt hiszem döntetlen a vita eredménye, ha ugyan egyáltalán vita volt.

Két malomban őröltünk. Te egyértelműen a DRAMokról beszéltél/írtál míg mindaz, amiról én próbáltam mesélni, az a "nem párolgó" (non volatile) memóriákra érvényes. A High-K is - tudomásom szerint - itt került alkalmazásra és nem az információt tároló kapacitás növelésére való, hanem a MOSFET gate-kapacitására. Mindez érthető is, ha visszatérünk az említett max. 2nm/10-15Å vastagságra a SiO2/High-K esetében. Tehát Flash stb. Ott is kritikus a sűrűség/kapacitás.

Jó kis agytorna volt. Remélem lesz más téma kapcsán is.