Hirdetés

2024. május 4., szombat

Gyorskeresés

Hozzászólások

(#41) g@bo


g@bo
nagyúr

A memóriakártyák és az USB drájvok az adatok tárolására flash típusú memóriát használnak. Az eszköz neve némileg félrevezetõ lehet, hiszen a PC-s világban a memória szó hallatán mindenkinek a RAM ugrik be, holott a RAM csak a memóriák egyik típusa. A másik csoportot természetesen a ROM típusú memóriák alkotják, ide sorolható a flash-memória is. Egészen pontosan egy EEPROM-ról van szó (Electronically Erasable and Programmable ROM - elektronikusan törölhetõ és programozható ROM), amely, a funkcióját tekintve, inkább a merevlemezhez hasonlítható, mint a hagyományos memóriához. A flash-memória kikapcsolt állapotban is megõrzi az adatokat, a mûködési elvére ezért azt mondjuk, hogy statikus. (A RAM-ok dinamikus elven mûködnek, ami azt jelenti, hogy ahhoz, hogy ne felejtsék el a tárolt adatokat, idõrõl idõre újra kell írniuk az egész chip tartalmát - másodpercenként több ezerszer. A chip rácsos felépítésû, a sorok és oszlopok találkozásánál található rácspontok jelentik a biteket. Egy bitnek pontosan egy rácspont felel meg, tehát egy-egy oszlop és egy-egy sor koordinátája egyértelmûen meghatároz egy-egy adatbitet. A gyártás során a rácspontok mindkét oldalára egy-egy tranzisztor kerül. Az egyik tranzisztort vezérlõ kapunak, a másikat pedig követõnek nevezzük. A követõ kaput megtestesítõ tranzisztor csak a vezérlõ kapun keresztül kapcsolódik a sorokhoz. A két tranzisztor közé egy nagyon vékony oxidréteget helyeznek, amely aktuális töltése jelenti tulajdonképpen azt, hogy az adott bit értéke 0 vagy 1. Mindaddig, amíg a két tranzisztor közötti oxidréteg semleges töltésû (a kapu nyitva van), a tranzisztorok közötti összeköttetést semmi sem akadályozza. Ekkor a kérdéses bit értéke 1. Ahhoz, hogy az érték 0-ra változzon, a követõ kapu felé feszültséget kell pumpálni a bitet reprezentáló oszlopon keresztül. Ennek hatására a követõ kapu mintegy elektronágyúként funkcionál, s a folyamat eredményeként az oxidréteg negatív töltést kap.


A flash-memória mûködési elve
Az oxidréteg ekkor akadályt képez a két tranzisztor között. Az akadály annál hatásosabb, minél inkább negatív töltéssel rendelkezik az oxidréteg. Egy érzékelõ cella méri a követõ kapu és a vezérlõ között áthaladó töltés mértékét. Ha az érték 50% alá esik, a bit értékeként az érzékelõ cella 0-t ad vissza. A bitek visszaváltoztatása ennél egyszerûbb: az egyes biteken keresztülhaladó erõs töltés hatására a kapuk újra teljesen kinyílnak. A ''törléssel'' mindössze egyetlen probléma van: elég lassú a pozícionálás miatt. A mérnökök éppen ezért egy hatásosabb módszert alkalmaznak. A törlés blokkonként történik, mégpedig oly módon, hogy a vezérlõ kiolvassa a blokk tartalmát, törli a területet, majd újraírja az adott területet, de most már a felesleges adatok nélkül. A flash-memóriák kapui akkor is megõrzik állapotukat, ha nincsenek feszültség alatt, így a cserélhetõ médiumok kiváló alapjául szolgálhatnak. (Azért elõbb-utóbb a flash-memória is felejt, de ennek idõtartama években mérhetõ.) Elõnyként szokták még megemlíteni a zajtalan mûködést, a kicsi és könnyû méretet valamint a rendkívül gyors elérési idõt. Ezzel a memóriatípussal találkozhatunk többek között a tesztben szereplõ memóriakártyák, a BIOS esetében, továbbá a chippel rendelkezõ különféle kártyákban (SIM, diákigazolvány, de a bankkártya nem) és játékkonzolokban is. ( forrás: computer panoráma online )

Copyright © 2000-2024 PROHARDVER Informatikai Kft.