A logikai szintű vezérlés alatt mit értessz (5V) ?

Igen: "Having a lower gate source threshold than standard MOSFETs ensures that they can be driven by low voltage devices such as logic ICs and microcontrollers."

Az adatlapban és a kapcsolásban szerepel egy kompenzáló tag, ami egy ellenállás és egy kondi, ami 0,47 és 1,5mikró között van.

Nem tudom. Még meg kell néznem.

Akkor ha jól értem, bámrilyen FET jó, ami 1A-nél nem igényel több áramot egy szint váltáshoz
vagy pedig akkora frekvenciáig használható a FET, amíg meg nem haladja az össz áramfelvétel az 1A-t.

Van egy Total gate charge paraméter, ami nC(nanoCoulomb)-ban van megadva. Ezt kell biztosítani a kapunak.
1 Coulomb = 1 amp x second, tehát 10 nC-nak 1 A kell 0.01 usec, vagy 0.1A 0.1 uS idő alatt.

Továbbá minél nagyobb egy FET gate töltése, annál lasabban megy végbe a váltás és van köztes tartományban, amikor is részlegesen vezet, sokkal nagyobb ellenállás mellett, mint mint a "ON resistance" értéke, így növekvő frekvencia mellett egyre jobban kezd melegedni.

Pont erre megvan a válasz az előző töltésmennyiségszámigálásban is. Igen végülis melegedésről van szó.

Szerk: Visszatérve a kompenzálóelemekre, ha jól értem, az a belső hibaerősítővel van kapcsolatban (annak a kimenete), gondolom csak gerjedés elkerülésére, vagy valamilyen módon a belső oszcillátorfrekvencia zavaró hatásai ellen van ott. Nem hiszem, hogy a kimenetet másképp befolyásolhatná.

[ Szerkesztve ]