Ez nem saját írás, hanem xtremesystems.com-ról egy fórumtag (Micutzu) megfigyelése, tesztje, tanulmánya, ha tetszik.
Mivel most DDR2 topkiban pont erről van szó és mert nem bizos mindenki annyira jól érti angolt, gondoltam lefordítom, és akkor világos lesz minden!
Ha valaki kicsit jártasabb a témában, szakzsargon, meg egyéb tekintetben, akkor megnézhetné az eredti cikket (link lent), és ha van amit nem jól, vagy helytelenül fordítottam, akkor szóljon!

''Van a neten pár topik, illetve egy általánosan elfogadott, ismert tény, hogy a Micron D9 chippekkel szerelt modulok, kellő feszültségtöbblettel állati jól tuningolhatóak, DE ez előbb-utóbb a végét jelenti a RAM-nak. Gondoltam megosztom ezzel kapcsolatban a gondolataimat, mivel magam is ilyen téren dolgozom, illetve nem kevés modul fordult meg a kezemben, amiket szépen kihajtottam, kiteszteltem.

Mint tudjátok, a Micron DDR2-es chippek (D9) nagyon jól reagálnak a feszültség emelésre, főleg szűk időzítések mellett... és nagyon sok ember találgatja, mi lehet a határ. Nos, ellentétben a régi Winbond BH-5-ös chippekkel, amelyek szintén nagyon hálásak voltak magasabb feszültségeken, és ezt tartósan is tudták teljesíteni megfelelő hűtéssel, a Micron D9-ek inkább megtévesztőek. Mielőtt továbbmennénk, hadd mutassak be nektek egy jelenséget:

Elektromigráció
Ez egy jelenség, amit a magas feszültség áramlás kelt a szilárd testekben, amely fizikailag kihat az anyag kristály szerkezetére, ez elektronok kinektikus energiavesztesége folytán.
Öhh... kicsit részletesebben? A szilárd fém kötött atomok hálózatából épül fel, melyek mindegyike néhány elektronnal is bír. Ezek az elektronok szabadon mozoghatnak a fémrácson, és persze feszültséget is továbbíthatnak, ezért olyan jó vezetők a fémek. Elméletben, az elektronok tömege olyan kicsi, hogy az atommaghoz viszonyítva elhanyagolható, de ha egy nagyon kis méretű anyagon keresztül halad át nagy mennyiségű áram, akkor milliárdnyi elektron van mozgásra kényszerítve hatalmas sebességgel, amik elcsapják az útjukba kerülő atomokat, és idővel megbomlasztják, az egyébként szépen rendezett fémrácsot, űrt hagyva eredeti helyükön.
Ez a jelenség kikerülhetetlen, és minden anyagban megtörténik, ha áram folyik keresztül rajta; van egy matematikai modell, a Black egyenlőség, ami megmutatja az anyag átlagos, várható élettartamát, adott körülmények között. Persze, normális eseteben, az elektromigráció által okozott anyagfáradás esélye csekély, de a lehetősége hatványozottan nő magasabb feszültség és hőmérséklet mellett! Ahogy a gyártók egyre kisebb és kisebb gyártás-technológiára térnek át, úgy nő az elektromigráció jelentősége, mivel a fémszerkezetek egyre vékonyabbá válnak, és sokkal érzékenyebbek az ilyen jellegű károsodásra. Igaz, van néhány gyártási módszer, amivel az elektromigráció hatása csökkenthető (a fém részek tudatos elhelyezése a lapkán, helyileg), de ezek csak késlelteni tudják az elkerülhetetlent.

Visszatérve a túlfeszelt Micron D9-re, most már elég világos, hogy mi történik. A magas feszültésg magas elektromos áramot okoz, túl sok elektron kezdi károsítani az chip belső szerkezetét, és hamarosan, a drága tuning RAM-od elkezd hibázni, vagy egyáltalán működni. Az anyagban keletkezett kis ''űrök'' megakadályozzák az elektromos áramlást (magasabb feszültség kell, hogy jól működjön azonos frekvencián), és kényszeríti ugyanazt az áram mennyiséget, hogy egy még vékonyabb anyagrészen keresztül haladjon át. Ez növeli az áramerősséget, és felerősíti az elektromigráció hatását. Egyre több és több ''űr'' keletkezik az anyagon belül (egyre nagyobb feszültséget kell adj a modulnak, hogy egyáltalán elinduljon), majd végül teljesen tönkre megy.

Elég az elméleti zagyválásból, szögezzünk le néhány tényt, számot, adatot. Az én eddigi tapasztalataim alapján, Micron D9-el szerelt moduloknak 24/7-es használatra az adható legmagasabb feszültség a 2.4V, megfeleő hűtéssel! Tudom, vannak gyártók, akik ennél magasabb feszültségre hitelesítik a ramjaikat, de nekik az nem nagy érvágás ha megszaporodnak a garanciális ügyintézéseik, csak villoghassanak a PC9000 meg nem tudom hányas termékeikkel...
Egy benchmark guru szempontjából, én azt mondom a 2.6V még elfogadható és biztonságos, feltéve ha nem a ''24 órás memteszt CL3-ban'' bajnokságot akarod megnyerni, és van hűtésed is a ramokra. A rövidebb tesztek, vagy amelyek annyira nem izzasztják a RAM-ot, még ennél kicsivel többet is elviselnek, még akkor is ha én nem merném a méreg drága márkás moduljaimt még csak egy rövid teszt erejéig sem hajtani 2.8V-on...
Az igazi elborult OC huszároknak pedig, a 3.2+V pedig egyértelműen a ''nincs visszaút'' kategória, az olyan D9 ami ezen a feszen elindult, ment, és visszatért, azt minden este csókkal kell fektetni...

Az első jele az elektromigrációnak, hogy a RAM nem hajlandó alacsony feszültségen működni, 1.8-2.00V körül... ha ezt észleled a Micron D9 modulodon, akkor ott már probléma van, és a magasabb feszültséggel még jobban megrövidíted a RAM életét.
Egy komolyan sérült modulnak már 2.5-2.6V kell ahhoz, hogy hibázás nélkül fusson, még ha egy darabig képes ilyen feszültségen üzelmelni.''

[link]