Jönnek majd más anyagok vagy kombinációk.. pl pl SiGe = 800Ghz/130nm-en alacsony hőmérsékleten, de azt írják fejlesztésekkel szobahőn is lehet a jelenleginél sokkal durvább sebesség, de votl korábban PH cikk is egyéb lehetséges leváltó anyagokról ahol 2 nagyságrenddel gyorsabb chipeket lehet elérni a jelenlegi technológiától.
Szóval nem csak a csík szélesség számol, csak a szilicium egy jó fejős tehén volt idáig, mert nagyon durván le tudták skálázni a csíkszélességet, és közben a szükséges feszültséget, így azonos áram felvétel mellett tudták emelni a számítási kapacitást közben. Viszont ha áttérnek jobb karakterisztikájú anyagokra akkor ugrásszerűen jobb teljesítmény hozható ki akár nagyobb csíkszélesség mellett és aztán megint lehet az adott anyagot majd elkezdeni miniatürizálni és leskálázni, hogy megint eljátsszák ugyanezt, csak más alapanyagból.
