Nem semmi. A fejlődés nem áll meg. Az Intel is azt nyilatkozta legutóbb, hogy 7nm-ig szabad az út.

Samsung S23 Ultra 5G

Ezt nem szabad elhinni, mert ez nem technológiai tartalmú állítás, hanem marketinges. A tény az, hogy az Intelnek sincs 7nm-es, és a Samsungnak sincs 5nm-es tömeggyártásra alkalmas gyártósora. Ez utóbbinál alapfeltétel, hogy maximum 50%-os legyen a selejt arány. Ugyanis ez az a tényező, ami miatt akár éveket is csúszhat a gyártástechnológia, mivel hiába gyártanak működőképes csipeket, ha például 95%-os a selejt, gazdaságilag nem éri meg. Jó példa a Broadwell-H széria (pl. 5770K), amit inkább töröltek a jelenlegi alacsony kihozatal miatt, hiába működik a processzor (a Prohardveren is volt róla cikk).

Ki mondott olyat, hogy minden megvan egy 5nm-es tömeggyártósdihoz? senki. azt mondták, hogy a közeljövőben. ami teljesen reális. Ne aggódj, ha akarják, idővel minden feltételt megfognak adni ehhez a tervhez. Legyen az Intel, vagy Samsung.

Mellesleg nem lehett volna ezt a két nm-es témáról szóló cikket, mondjuk egyben megírni?

[ Szerkesztve ]

Én amióta foglalkozok a témával mindig ez van, intel aszondja, hogy jövőre 90nm és már látlja a 65nmet sött 45nm is megvalósítható.... aztán megvalósul és nem panaszkodnak selejtre azt meg így utolag nem tudom, hogy marketinges mondta e vagy sem, nincs rájuk írva de fura így 15+év után, hogy nem szabad hinni nekik. Megmondták megcsinálták.

A távoli határokat persze még nem látjuk, lehet 5nm beleütköznek vmi nem várt dologba és simán lehet, hogy bemegyünk 1nm alá. Ha jól emlékszem ez a kb 1nm a gyakorlati határa ennek a szilicum tranzisztoros technologiának itt már 1-2 atom széles tranzisztorokról beszélünk, fél meg ugye itt nincs, nincs már hova csökkenteni, és erős a gyanum, hogy a frekvenciát se lehet drasztikusan fölebb srofolni.

És lehet maga a folyamat lassulni fog, de a teljesítmény.... fejlődésében nem lesz még egy jó ideig megállás jönnek a 3ds tokozások, proci mellé integrált memória, lassan talán már ez az apu vonal is felfut... ezek a köv ~10-15évben mind megvalósulnak, kérdés onnan merre és persze innen már minden találgatás...

don't look up, don't look up, don't look up, don't look up, don't look up, don't look up, don't look up...

Lassan ott tartunk, hogy a Samsung, ami a gyártást illeti, fejlettségben és volumenben a TSMC elé kerül?

intel aszondja, hogy jövőre 90nm és már látlja a 65nmet sött 45nm is megvalósítható.... aztán megvalósul és nem panaszkodnak selejtre

Ez egy hatalmas tévedés! Sőt, két hatalmas tévedés! Először is, mi az, hogy a xx nm-es technológia megvalósítható az olvasatodban? Nézzük a tényeket, mikor is gyártottak tranzisztort különböző technológiával: 6nm-est 2002-ben, 1nm-est meg 2008-ban. Tehát az 1nm-es tranzisztor már 7 éve működik, nem kell újból feltalálni ezeket egyik cégnek sem. A második tévedés a selejtre vonatkozik, ami azért összefügg az elsővel is. A Samsung és az Intel 2015-re jutott el oda, hogy 14nm-es technológiával, milliárdos tranzisztorszámmal, milliós darabszámban képes olyan lapkákat gyártani, aminek alacsony a selejtszáma, ergo gazdaságos. Az utóbbi határozza meg, hogy melyik technológia mikor lesz piacérett, melyik évben is kezdik el tömegesen használni. Törődj csak bele, a chipgyártás nem szándék kérdése, hanem profitorientált tevékenység, ahol a selejtre nagyon is panaszkodnak.

fura így 15+év után, hogy nem szabad hinni nekik

Amit írtam arra vonatkozott, hogy "7nm-ig szabad az út". Ezt nem szabad elhinni, mert az Intelen kívül még legalább 3 nagy cég a konkurens akik gyorsan behozhatják a hátrányt, ha az Intel elakad 2-3 évre. Vagy mindenki elakad, és mindenki szenvedni fog. Nem lehet tudni, egyik gyártó sem tudja, mivel sz ördög a hatékonyságban van, óriási veszteséggel meg senki sem fog gyártani. Hogy ne bonyolítsuk túl a részleteket, elég csak arra gondolni hogy sok tényező négyzetes arányosságot mutat, aminek kiküszöbölése ebben a pár nm-es méretben elég nagy kihívás azonos minőségi mutatók mellett. 7nm-es chipet most is gyártanak, csak alacsony tranzisztorszámmal, kis tételben és borzasztó drágán. De itt most tömegtermelésről beszélünk, profitorientált tömegtermelésről.

"implementálható szilícium, illetve indium gallium arzenid (InGaAs) nanoszállal is."

Csak szerintem nem túl előremutató dolog egy ilyen technológiát ilyen mértékben ritkaföldfémekre alapozni?

Durva!

50-60 éve ezeket használják.

Tudod, mit jelent az, hogy nemezis? Az érintett, erősebb fél kinyilatkoztatása a méltó büntetés mértékét illetően. Az érintett fél jelen esetben egy szadista állat... én.

Mennyi félvezetőgyártásban tapasztalt kutató és mérnök kommentel itt!

Személy szerint én hiszek ezeknek a marketingdumáknak. A Samsung óriási erőforrásokat csoportosított erre a területre és csendben lekörözte a TSMC-t. Csak így tovább!

Magyarországon több egyetemen is tanítanak a processzor gyártásról, szóval a fiatal mérnökök egy részének van több-kevesebb up-to-date elméleti tudása. Szóval felesleges gúnyolódni.

Aztán meg meg még tovább.
Hallottuk már egy párszor, hogy "5 év múlva vége, nem fogunk tudni mit kitalálni!".

A HKMG technikában használt hafnium sem a gyakoriságáról híres, a földkéregben vett átlagos koncentrációja szerintem kisebb mint a legtöbb ritkaföldfémél - mégsincs ezzel gond. Az ezekből az anyagokból készülő struktúrák gyakorlatilag nyomnyi mennyiségűek a csipeken.

Angel1981 #14
Ez igaz, de figyelembe kell venni a financiális oldalt, amire gaba kartárs mutatott. Mindig lehetséges a tovább lépés, de a jelenlegi keretek között egyre drágább.

[ Szerkesztve ]

Igen, de azt sem szabad elfelejteni, hogy a ritkaföldfémek viszonylag kevés helyen bányászhatók gazdaságosan, és a jelenleg feltárt lelőhelyek többsége Kína területén van. Így egy esetleges embargónál jelentős hátrányba kerülhetnek a nem kínai félvezetőgyártók.
Hiába nem kell egy adott csiphez nagy mennyiség, több millió legyártani kívánt lapkához már sok kell

[ Szerkesztve ]

FZR2000 ®

10 nmes EUV gyartosora mar van az ASMLnek, csak a sebesseg meg a kihozatal alacsony. Ebbol 7nm lesz double patterningel, 5 nm tripple pattening. A quadot nem hiszem, hogy bevallaljak, az Intel azzal szopikazik 14 nmen. Nem a megvalositas a problema, hanem a gazdasagossag.

Kapaszkodj meg, a hafnium 30x gyakoribb a keregben, mint az indium. (Hf: 5.8ppm, In: 0.16ppm, As: 1.5ppm, Ga: 16.9ppm) Osmium a legritkabb: 0.05ppm.

[ Szerkesztve ]

Tudod, mit jelent az, hogy nemezis? Az érintett, erősebb fél kinyilatkoztatása a méltó büntetés mértékét illetően. Az érintett fél jelen esetben egy szadista állat... én.

Hmmm... a hafniumot nagyjából tudtam, de az indiumról nem gondoltam volna, hogy ilyen ritka.
Ugyanakkor, ezeket az anyagokat viszonylag "nagy tömegben" (ez persze relatív) is használják. Egy egyetemi laborban, ahol dolgoztam, használtak valamire indium fóliát - nem volt olcsó, de nem az jött le, hogy aranyárban van. Egy haveromnak szabadalma van gallium (folyékony) anódos röntgencsőre - egy olyanba valószínűleg több kg-nyi mennyiség kell a gallliumból. Ehhez képest itt arról beszélünk, hogy apró csipek mikroszkopikus tranzisztorainak még kisebb egyes részeihez olyan kis mennyiség kell ezekből az anyagokból, hogy valószínűleg sok millió lapka igényel belőle egy kilónyit.
Az arzénnek, ha jól tudom, vannak dúsulásai üledékes kőzetekben, ezért könnyebben előállítható és régóta ismert.
Egyébként, a ritkaföldfémek gyakoriságából indultunk ki, és ezek nem ritkaföldfémek.

Zimmy88 #17
"gen, de azt sem szabad elfelejteni, hogy a ritkaföldfémek viszonylag kevés helyen bányászhatók gazdaságosan, és a jelenleg feltárt lelőhelyek többsége Kína területén van. Így egy esetleges embargónál jelentős hátrányba kerülhetnek a nem kínai félvezetőgyártók."

Igazából nem értek hozzá, de a ritkaföldfémek bányászata nem is annyira lelőhely, mint technológia kérdése, és Kína az olcsó munkareő, a laza környezetvédelmi szabályozás és az egyébként is komoly bányászati ipar miatt vált szinte kizárólagos ritkaföldfém-exportőrré. Egy embargó esetén megérné nem kínai cégeknek a technológiába fektetni, és kiaknázni az egyébként szintén jelentős kanadai, orosz, brazil, afgán, stb lelőhelyeket.

derive #18
" A quadot nem hiszem, hogy bevallaljak, az Intel azzal szopikazik 14 nmen."

Jesszusom, már quadruple patterningnél járunk???
Nem csoda, hogy nehéz leszorítani a selejtarányt.
Úgy tudom, a TSMC 28nm-es technológiája nem alkalmaz double patterning-et.

recycling, srácok, recycling. a galliumtermelés fele-háromötöde ma már ebből jön.

Tudod, mit jelent az, hogy nemezis? Az érintett, erősebb fél kinyilatkoztatása a méltó büntetés mértékét illetően. Az érintett fél jelen esetben egy szadista állat... én.

nagyon helyes...

Nem arrol beszelunk. Ha InGaAs chipeket kell gyartani, akkor az egesz wafer lesz ebbol az anyagbol es egy darab Si sem lesz benne. Ez egy vegyuletfelvezeto. Ehhez joval tobb anyag kell, mint ha csak adalekanyagnak hasznalnak.

akkor szólj az intelnek is kérlek, hogy szarul csinálják.

Tudod, mit jelent az, hogy nemezis? Az érintett, erősebb fél kinyilatkoztatása a méltó büntetés mértékét illetően. Az érintett fél jelen esetben egy szadista állat... én.

Miert, szerinted szerintem mit csinalnak szarul?

Oké, de még akkor sem érzem problémásnak a szükséges nyersanyagmennyiség biztosítását, ha nem adalékanyag mennyiségben lesz rá szükség, hanem az egész wafer abból készül, tekintve, hogy az egyre bonyolultabb és drágább gyártástechnológiákban a wafer költség arányaiban egyre kisebb. Költségcsökkentő trükköket még így is bevethetnek, pl olcsó Si hordozóra növesztik a vékony InGaAs réteget.

Vegul is csak 6 nagysagreddel tobb indumra lenne szukseg,valoban elhanyagolhato. A cikkben szereplo InGaAs szal azert nem ennyire veszes megoldas, az meg jarhato ut.

[ Szerkesztve ]

ingaast használnak ők is a finfet tranyóikban, csak éppen szilicium szubsztráton.
de a samsung is a finfet tranyóiban ingaas-inp-ingaas rétegeket használ, indiumfoszfid szubsztráton.

Tudod, mit jelent az, hogy nemezis? Az érintett, erősebb fél kinyilatkoztatása a méltó büntetés mértékét illetően. Az érintett fél jelen esetben egy szadista állat... én.

6 nagyságrend - mihez képest?
Az, hogy egy kész csip mennyit tartalmaz egy bizonyos anyagból -pl mint ahogy jelen esetben az InGaAs-ról beszélünk- az nem azt jelenti, hogy annyit is használnak föl hozzá, hanem egyes esetekben akár nagyságrendekkel többet. Egyszerűen azért, mert a fotolitográfiában rendszerint az az eljárás, hogy "odateszünk már egy minyurka n-típusú félvezetőt", hanem ellenkezőleg: lemaratják a fölösleges részeket, vagyis sokszor majdnem az egészet! De végül is mindegy, mert mint írtam, a wafer költsége egyre kisebb szeletét adja a gyártás teljes költségének. Emiatt, Ha jól emlékszem, 28 nm-en és azalatt már az FD-SOI olcsóbb, mint a FinFET, pedig milyen körülményesen állítják elő a wafert az előbbihez!
Mint írtam, olcsó hordozóra épített vékony rétegekkel a kritikus anyagok tényleges költsége alacsonyan tartható, pl egy 300 mm-es waferen 100 mikron vastagon felvitt félvezetőréteg tömege nem több néhány tucat grammnál. Ez néhány millió ostyánál (kb ennyi a TSMC 28 nm-es kapacitása évente) néhányszor tíz tonna mennyiség, amihez képest a bányászat azért egy nagyságrenddel több. Ha vékonyabb réteg is elég, akkor még kisebb a nyersanyagigény.
Végül de nem utolsó sorban az újrahasznosítás is nagyon fontos, mint ahogy korábban már írták: az indium, a gallium, és az arzén nem arról híresek, hogy megoldott és nagy arányú az újrafelhasználásuk! Nyilván ehhez ki kell dolgozni a megfelelő technológiát, de ha igény lesz rá, és nem lesz más út, meg fogják tenni...

A full wafer ingaas-hez kepest. Ezert irtam, hogy a nanoszalnal nem ilyen rosszak az aranyok.

A wafer arak: 2" Si: $40 , 2" InP/InGaAs $2000.

[ Szerkesztve ]

Hol a vége?És utána mi lesz?

duree54

" wafer arak: 2" Si: $40 , 2" InP/InGaAs $2000."

Ejha, van egy kis különbség...
2", értsd 2 hüvelyk - ez valamilyen kísérleti gyártás? Ez a nyers, vagy már a levilágított kész wafer - ha az utóbbi, akkor milyen gyártástechnológia?

2" meret nagyon elterjed, sokan veszik kisebb szeriahoz, kiserletezeshez stb.. Meg egy csomo otthoni felhasznalo is megveszi hogy hobbibol tranzisztort csinaljon maganak.
Ez csak a nyers wafer egydarabos ara, nem nagy tetel. Az InP eseten van egy extra InGaAs reteg is novesztve ra, csak abbol nem csinalnak szubsztratot mert meg dragabb lenne(meg nem is lenne ertelme egy vastag, draga ki nem hasznalt szubsztratnak) De az anyagok kozotti arkulonbseget jol mutatja.

[ Szerkesztve ]